瑞银上调SK海力士目标价，HBM成增长核心
AI基础设施投资正在重新定义存储芯片行业的盈利周期。瑞银最新报告认为，SK海力士正通过长期供应协议和高带宽内存（HBM）布局，提高未来业绩确定性，并将其目标价从300万韩元上调至320万韩元，继续维持“买入”评级。
在传统存储周期中，厂商往往面临价格大幅波动的问题。DRAM和NAND Flash市场长期受到供需变化影响，企业盈利通常随着库存周期起伏。但这一轮AI浪潮带来的变化在于，数据中心客户开始提前锁定关键芯片供应，尤其是面向大型云计算企业和AI基础设施建设者的高端存储产品。
瑞银指出，SK海力士正在推动更多修订版长期协议（LTA）的签署，主要覆盖超大型数据中心客户的DDR5和NAND Flash产品。这些协议周期超过5年，目前约60%至70%的预期供应量和价格已经锁定。
对于芯片企业而言，这类长期合同的价值并不仅是销量保障，更重要的是降低行业周期带来的不确定性。当AI服务器建设进入长期扩张阶段，提前锁定订单能够让企业更准确规划产能和资本投入。
HBM则是SK海力士当前最重要的增长引擎。
随着生成式AI模型规模不断扩大，GPU和AI加速器对于高速数据传输能力的需求快速提升，HBM成为连接计算芯片和存储芯片的重要组件。相比传统DRAM，HBM技术门槛更高，单位价值也更高，因此正在改变存储行业的利润结构。
瑞银表示，SK海力士已经开始增加面向Rubin平台的HBM4出货，显示公司已完成最终设计调整并满足相关规格要求。虽然三星电子预计可能在2027年HBM位元市场份额上略微领先，比例约为41%对39%，但从长期收入结构来看，SK海力士的HBM占DRAM业务比重可能仍保持更高水平。
报告预测，HBM占SK海力士DRAM营收比例将从2026年的15%提升至2030年的58%。这意味着公司未来增长逻辑将不再只是依靠传统存储涨价，而是更多来自高价值AI芯片供应链。
价格端也出现改善趋势。瑞银预计，2026年下半年DDR和NAND Flash合约价格仍有上涨空间。其中，DRAM平均售价预计第二季度环比上涨43%，第三季度上涨21%，第四季度上涨13%；NAND Flash混合平均售价预计同期分别上涨43%、25%和10%。
如果这一趋势延续，存储厂商将迎来近年来少见的盈利扩张周期。瑞银因此上调SK海力士今年经营利润预测7%，至327万亿韩元，并预计2027年和2028年经营利润分别达到623万亿韩元和667万亿韩元。
不过，AI存储需求快速增长也意味着竞争会更加激烈。三星电子正在加速追赶HBM市场，而美光等海外厂商同样在扩大相关投资。未来几年，HBM市场可能成为韩国存储巨头之间新的核心战场。
除了业务增长，资本市场也开始关注SK海力士股东回报政策。瑞银预计，随着ADR上市推进，公司可能启动股票回购，并逐步提高回购力度。
从整个产业链来看，AI正在把存储行业从周期性生意，推向更接近基础设施供应商的角色。谁能够稳定满足大型AI平台的需求，谁就可能在下一轮芯片竞争中获得更强的话语权。SK海力士目前押注的，正是这一轮由算力扩张带来的结构性机会。